建网站公司销售网站建设免费代理

建网站公司销售,网站建设免费代理,app定制软件开发,wordpress 积分插件知识星球#xff08;星球名#xff1a;芯片制造与封测技术社区#xff0c;星球号#xff1a;63559049#xff09;里的学员问#xff1a;用ICP-RIE刻蚀接触孔工艺中中#xff0c;侧壁的角度与射频功率关系大不大#xff1f;如何通过调节功率来调节侧壁角度#xff1f;什…知识星球星球名芯片制造与封测技术社区星球号63559049里的学员问用ICP-RIE刻蚀接触孔工艺中中侧壁的角度与射频功率关系大不大如何通过调节功率来调节侧壁角度什么是刻蚀的侧壁角度如上图侧壁角度是侧壁相对于衬底的倾斜角度是衡量刻蚀质量的重要指标之一。理想的侧壁角度接近90°垂直于衬底但是大多数情况下的侧壁角度是倾斜的即锥形。垂直或倾斜的刻蚀角度均有其应用的场景垂直角度更适合高密度互连的要求可以避免锥形角度带来的空间浪费。而锥形角度可以使填孔工艺大大降低。ICP-RIE的功率调节如上图改变上位机电源的功率可以改变等离子体的密度改变偏置电源的功率可以改变正离子轰击晶圆的能量。增大ICP-source的电源时等离子体浓度会增大增大偏置电源的功率时等离子体中的正离子受到的吸引力增大正离子具有更大的动能轰击晶圆表面。上下位机电源功率的比值与刻蚀角度的关系当ICP-sourceRF source的功率比值上升时侧壁的角度下降比如从89°下降到85度即侧壁更倾斜了。原因是当ICP-sourceRF source的功率比值上升时等离子体浓度增加的更加明显即化学作用的比值上升侧壁角度下降。当ICP-sourceRF source的功率比值下降时正离子的动能增加明显物理轰击的比值上升侧壁角度更加陡直。